Op werkdagen voor 23:00 besteld, morgen in huis Gratis verzending vanaf €20
010-4091943
Radiation Defects in Ion Implanted &/or High-Energy Irradiated MOS Structures
Radiation Defects in Ion Implanted &/or High-Energy Irradiated MOS Structures
S Kaschieva Meer over de auteurs
,

Radiation Defects in Ion Implanted &/or High-Energy Irradiated MOS Structures
Specificaties
Gebonden, 196 blz. | EN
Nova Science Publishers Inc | e druk, 2010
ISBN13: 9781608761883
Rubricering
Nova Science Publishers Inc e druk, 2010 9781608761883
€ 204,23
In winkelwagen
Levertijd ongeveer 15 werkdagen

Specificaties

ISBN13:9781608761883
Taal:EN
Bindwijze:Gebonden
Aantal pagina's:196
Uitgever:Nova Science Publishers Inc
€ 204,23
Levertijd ongeveer 15 werkdagen

Rubrieken

Uw cookie-instellingen
Deze website maakt gebruik van verschillende soorten cookies. Sommige cookies worden geplaatst door diensten van derden die op onze pagina's worden weergegeven. Om deze externe content te kunnen tonen is nodig dat u toestemming geeft voor het zetten van persoonlijke en marketingcookies. U kunt uw toestemming op elk moment wijzigen of intrekken. In onze cookieverklaring vindt u meer informatie.

    Personen

      Trefwoorden

        Radiation Defects in Ion Implanted &/or High-Energy Irradiated MOS Structures

        Recensiebeleid
        AI-book

        Wat is een AI-book?

        Een AI-book is niet een boek dat geschreven is door AI maar een boek dat verrijkt is met AI. Het maakt de inhoud van een boek interactief via WhatsApp, zodat je ermee kunt chatten. Zie het als een razend slimme assistent die het boek perfect begrijpt en er alles uit onthouden heeft. Jij kunt deze assistent alles vragen. Vraag bijvoorbeeld hoe je iets kunt toepassen op jouw persoonlijke situatie, om een korte samenvatting, of wat de belangrijkste inzichten zijn. AI-books zijn alleen te gebruiken via WhatsApp, je hoeft er geen aparte app voor te installeren.
        Meer informatie over AI-books

        ?

        Geef uw beoordeling

        Radiation Defects in Ion Implanted &/or High-Energy Irradiated MOS Structures

        Verwijder uw beoordeling