, ,

Ultrathin SiO2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics: Volume 567

Specificaties
Gebonden, 615 blz. | Engels
Cambridge University Press | e druk, 1999
ISBN13: 9781558994744
Rubricering
Cambridge University Press e druk, 1999 9781558994744
Onderdeel van serie MRS Proceedings
€ 40,03
Levertijd ongeveer 8 werkdagen

Samenvatting

Device scaling has been the engine driving the continued pervasiveness of the microelectronics revolution. The SIA roadmap calls for 4-5nm films (oxide equivalent thickness) in 2000, and

Specificaties

ISBN13:9781558994744
Taal:Engels
Bindwijze:Gebonden
Aantal pagina's:615
€ 40,03
Levertijd ongeveer 8 werkdagen

Rubrieken

    Personen

      Trefwoorden

        Ultrathin SiO2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics: Volume 567